El componente electrónico DSEI2X61-12B representa una categoría esencial en la electrónica de potencia avanzada. Este bloque modular compacto aloja un arreglo doble de diodos epitaxiales de recuperación rápida (FRED) con chips pasivados, garantizando corrientes de fuga residuales sumamente bajas incluso bajo temperaturas de unión elevadas que alcanzan los 150 grados Celsius.
Datos Estructurales del Dispositivo
| Parámetro | Valor Soportado |
| Voltaje de ruptura inverso | 1200 V |
| Corriente media por diodo | 52 A |
| Tipo de sujeción mecánica | Tornillos sobre placa base aislado a 2500 V |
Al implementar este encapsulado estándar de la industria, las tareas de sustitución y mantenimiento mecánico en armarios eléctricos se simplifican notablemente, asegurando un acoplamiento térmico perfecto con el disipador exterior.
