Oblea de carburo de silicio para desarrollo industrial
Optimice sus proyectos de alta tecnología con la oblea de SiC pulida de doble cara, diseñada específicamente para cumplir con los estándares más exigentes en semiconductores. Este sustrato cristalino tipo 4H-N ofrece una base ultraplana y homogénea, ideal para laboratorios de investigación y desarrollo de componentes electrónicos avanzados.
Características esenciales del sustrato
- Estructura cristalina 4H-N conductora de alta estabilidad técnica.
- Acabado pulido por ambas caras que reduce las imperfecciones en la deposición.
- Dimensiones precisas de 5x5 milímetros ideales para microdispositivos.
- Pack funcional que incluye 5 piezas listas para su integración experimental.
Un componente crítico y fiable para entornos que requieren una excelente conductividad térmica y eléctrica.
